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下部切割条纹紊乱

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切割面的形貌分为截然不同的两部分,上部表面平整光滑,切割条纹整齐、细密,粗糙度值小;下部切割条纹紊乱,表面不平整,粗糙度值大。上部具有激光束直接作用的特点,下部则有

  切割面的形貌分为截然不同的两部分,上部表面平整光滑,切割条纹整齐、细密,粗糙度值小;下部切割条纹紊乱,表面不平整,粗糙度值大。上部具有激光束直接作用的特点,下部则有熔化金属冲刷的特征。

  7月16日就传闻做出澄清,核心信息点包括业绩下滑60%-65%主要系行业周期性下滑、欧洲研发中心项目无造假情形、部分职工薪酬发放有滞后性。

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  事发突然,两人作业手段娴熟,指挥中心发现后一边快速通知店埠派出所赶往现场,一边使用视频监控及时追踪两人行踪,通过“天网”监控画面显示,两人完成切割任务后快速携带工具和切割下来的护栏进入马路对面20米处的一个浴场。

  激光划技术是生产集成电路的关键技术,其划线μm)、加工速度快(可达200mm/s),成品率达99.5%以上。集成电路生产过程中,在一块基片上要制备上千个电路,在封装前要把它们分割成单个管芯。传统的方法是用金刚石砂轮切割,硅片表面因受机械力而产生辐射状裂纹。用激光划线技术进行划片,把激光束聚焦在硅片表面,产生高温使材料汽化而形成沟槽。通过调节脉冲重叠量可精确控制刻槽深度,使硅片很容易沿沟槽整齐断开,也可进行多次割划而直接切开。由于激光被聚焦成极小的光斑,热影响区极小,切划50μm深的沟槽时,在沟槽边25μm的地方温升不会影响有源器件的性能。激光划片是非接触加工,硅片不会受机械力而产生裂纹。因此可以达到提高硅片利用率、成品率高和切割质量好的目的。还可用于单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池的划片以及硅、凯时娱乐注册,锗、砷化稼和其他半导体衬底材料的划片与切割。

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